WAFER STAGE

This wafer stage 10 comprises a ceramic plate 20, a cooling plate 30, a space layer 34, and a space-layer-forming part 36. The ceramic plate 20 has a wafer placement unit 22 on the top surface and has built-in electrodes 24, 26. The cooling plate 30 is joined to the bottom surface of the ceramic plate 20 and has a refrigerant flow path 32. The space layer 34 is provided between the top surface of the cooling plate 30 and the refrigerant flow path 32 and covers the entire refrigerant flow path 32 in the plan view. The space-layer-forming part 36 is the part of the cooling plate 30 that surrounds the space layer 34. The space-layer-forming part 36 has a joint, and the joint is formed by a metal junction without interposing a seal member. L'étage de tranche 10 selon la présente invention comprend une plaque céramique 20, une plaque de refroidissement 30, une couche d'espace 34 et une partie de formation de couche d'espace 36. La plaque céramique 20 a une unité de placement de tranche 22 sur la surface supérieure et a des électrodes intégrées 24, 26. La plaque de refroidissement 30 est reliée à la surface inférieure de la plaque céramique 20 et a un trajet d'écoulement de fluide frigorigène 32. La couche d'espace 34 est disposée entre la surface supérieure de la plaque de refroidissement 30 et le trajet d'écoulement de fluide frigorigène 32 et recouvre la totalité du trajet d'écoulement de fluide frigorigène 32 dans la vue en plan. La partie de formation de couche d'espace 36 est la partie de la plaque de refroidissement 30 qui entoure la couche d'espace 34. La partie de formation de couche d'espace 36 a un joint, et le joint est formé par une jonction métallique sans interposition d'un élément d'étanchéité. ウエハ載置台１０は、セラミックプレート２０と、冷却プレート３０と、スペース層３４と、スペース層形成部３６とを備える。セラミックプレート２０は、上面にウエハ載置部２２を有し、電極２４，２６を内蔵する。冷却プレート３０は、セラミックプレート２０の下面に接合され、冷媒流路３２を有する。スペース層３４は、冷却プレート３０の上面と冷媒流路３２との間に設けられ、平面視で冷媒流路３２の全体を覆う。スペース層形成部３６は、冷却プレート３０のうちスペース層３４を取り囲む部分である。スペース層形成部３６は、繋ぎ目を有し、繋ぎ目は、シール部材を介在させることなく金属接合によって形成されている。