LIQUID CRYSTALLINE SAM VIA SPIN-COAT ASSEMBLY AND THEIR AREA SELECTIVE DEPOSITION PROPERTIES

Described is a patterned liquid crystal monolayer structure (100) on a patterned substrate (900), wherein said patterned substrate is comprising surface areas which grafted onto (500) by a liquid crystal compounds (300) as a self-assembled monolayer (SAM) (200) and surface areas which are not grafted onto (400) by this SAM on this patterned substrate. Also described, are compositions of select liquid crystal (200) with different types of polar anchor groups, in an organic spin casting solvent and the method of using this composition to selectively deposit a SAM on a substrate containing both metallic surface areas and non-metallic inorganic silicon compound surface areas on either one of these areas, depending on the nature of a polar anchor group on the liquid crystal compound, and using this selective SAM deposition as a barrier to selectively deposit a metal oxide dielectric by ALD on the area not grafted by a SAM. La présente invention concerne une structure monocouche de cristaux liquides à motifs (100) sur un substrat à motifs (900), ce substrat à motifs comprenant des surfaces greffées (500) par un composé de cristaux liquides (300) sous la forme d'une monocouche auto-assemblée (SAM) (200) et des surfaces non greffées (400) par cette SAM sur ledit substrat à motifs. Sont également décrites des compositions de cristaux liquides sélectionnés (200) avec différents types de groupes d'ancrage polaires, dans un solvant organique de coulée par centrifugation et le procédé d'utilisation de cette composition pour déposer sélectivement une SAM sur un substrat contenant à la fois des surfaces métalliques et des surfaces de composés de silicium inorganiques non métalliques sur l'une ou l'autre de ces zones, en fonction de la nature d'un groupe d'ancrage polaire sur le composé de cristaux liquides, et en utilisant ce dépôt sélectif de SAM en tant que barrière pour déposer sélectivement un diélectrique d'oxyde métallique par ALD sur la zone non greffée par une SAM.