METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (10) umfasst das epitaktische Ausbilden von einer oder mehreren Halbleiterschichten (110, 120) über einem Wachstumssubstrat (100), wobei ein Halbleiterkörper (121) erzeugt wird, der eine erste Hauptoberfläche (122) aufweist. Das Verfahren umfasst weiterhin das Ausbilden einer metallischen Schicht (130) über der ersten Hauptoberfläche (122) und das Aufbringen eines Halbleitersubstrats (135) in Kontakt mit der metallischen Schicht (130), wobei ein Material des Halbleitersubstrats (135) ausgewählt ist, so dass ein Metall der metallischen Schicht (130) geeignet ist, mit dem Material des Halbleitersubstrats (135) einen Metall-Halbleiterkontakt (137) zu bilden, wodurch an der Grenzfläche zwischen dem Halbleitersubstrat (135) und der metallischen Schicht (130) das Material des Halbleitersubstrats (135) mit dem Metall wechselwirkt und einen Metall-Halbleiterkontakt (137) ausbildet. Das Verfahren umfasst weiterhin das Entfernen des Wachstumssubstrats (100), wodurch ein Werkstück (105) erhalten wird, und da Vereinzeln des Werkstücks (105) in einzelne Halbleiterchips. The invention relates to a method for producing a semiconductor component (10), including the process of epitaxially forming one or more semiconductor layers (110, 120) over a growth substrate (100), wherein a semiconductor body (121) is produced which has a first main surface (122). The method additionally includes the process of forming a metal layer (130) over the first main surface (122) and bringing a semiconductor substrate (135) into contact with the metal layer (130). A material of the semiconductor substrate (135) is selected such that a metal of the metal layer (130) is suitable for forming a metal-semiconductor contact (137) together with the material of the semiconductor substrate (135), whereby the material of the semiconductor substrate (135) interacts with the metal on the boundary surface between the semiconductor substrate (135) and the metal layer (130) and forms a metal-semiconductor contact (137). The method additionally includes the process of removing the growth substrate (100), whereby a workpiece (105) is obtained, and then individualizing the workpiece (105) into individual semiconductor chips. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur (10) comprenant la formation par épitaxie d'une ou de plusieurs couches semi-conductrices (110, 120) sur un substrat de croissance (100), un corps semi-c