HIGH DENSITY STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY

HIGH DENSITY STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY

A semiconductor memory cell comprising six vertical-transport field-effect transistors (VTFET) on a wafer. The six VTFET are in a first layer. The six VTFET are in a first row. Une cellule de mémoire à semi-conducteur comprend six transistors à effet de champ à transport vertical (VTFET) sur une tra...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: XIE, Ruilong, ANDERSON, Brent, CHU, Albert, RADENS, Carl
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:A semiconductor memory cell comprising six vertical-transport field-effect transistors (VTFET) on a wafer. The six VTFET are in a first layer. The six VTFET are in a first row. Une cellule de mémoire à semi-conducteur comprend six transistors à effet de champ à transport vertical (VTFET) sur une tranche. Les six VTFET se situent dans une première couche. Les six VTFET se situent dans une première rangée.