PLASMA ASSISTED DAMAGE ENGINEERING DURING ION IMPLANTATION

A method of method of treating a semiconductor substrate. The method may include, in a beamline ion implanter, exposing a substrate surface of the semiconductor substrate to a plasma clean and exposing the substrate surface to a hydrogen treatment from a plasma source. The method may further include, in the beamline ion implanter, exposing the substrate to an implant process after formation of the hydrogen passivation, wherein the substrate is maintained under vacuum over a process duration spanning the plasma clean, the hydrogen treatment, and the implant process. L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur. Le procédé peut consister à, dans un implanteur ionique à ligne de faisceau, exposer une surface de substrat du substrat semi-conducteur à un plasma propre et exposer la surface de substrat à un traitement à l'hydrogène à partir d'une source de plasma. Le procédé peut en outre consister à, dans l'implanteur ionique à ligne de faisceau, exposer le substrat à un processus d'implant après la formation de la passivation à l'hydrogène, le substrat étant maintenu sous vide sur une durée de traitement couvrant le plasma propre, le traitement à l'hydrogène et le processus d'implant.