OXIDE THIN FILM

The present technology relates to an oxide thin film. The oxide thin film of the present technology comprises: a single crystal substrate; and a main oxide layer laminated on the single crystal substrate and doped with heterometallic elements, wherein in an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) using a transmission electron microscope (TEM), the heterometallic elements and metal elements of a metal oxide constituting the main oxide layer may be uniformly distributed. The present technology may provide an oxide thin film exhibiting MIT properties having improved reliability, sensitivity, accuracy, and reproducibility. La présente technologie concerne un film mince d'oxyde. Le film mince d'oxyde de la présente technologie comprend : un substrat monocristallin ; et une couche d'oxyde principale stratifiée sur le substrat monocristallin et dopée avec des éléments hétérométalliques, dans une spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie (EDX) à l'aide d'un microscope électronique à transmission (MET), les éléments hétérométalliques et les éléments métalliques d'un oxyde métallique constituant la couche d'oxyde principale peuvent être uniformément répartis. La présente technologie peut fournir un film mince d'oxyde présentant des propriétés de MIT ayant une fiabilité, une sensibilité, une précision et une reproductibilité améliorées. 본 기술은 산화물 박막에 관한 것이다. 본 기술의 산화물 박막은 단결정 기판; 및 상기 단결정 기판 상에 적층되고, 이종 금속 원소로 도핑된 주산화물층;을 포함하되, 투과형 전자 현미경(TEM)을 이용한 에너지 분산형 X선 분석법(EDX)에서 상기 이종 금속 원소와 상기 주산화물층을 구성하는 금속 산화물의 금속 원소는 균일하게 분포되어 있을 수 있다. 본 기술은 신뢰성, 민감성, 정확성 및 재현성이 향상된 MIT 특성을 보이는 산화물 박막을 제공할 수 있다.