HIGH-PRESSURE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND PROCESSING GAS LINE USED THEREFOR

The present invention provides a high-pressure substrate processing apparatus and a processing gas line used therefor. The high-pressure substrate processing apparatus comprises: an inner chamber having an inner housing formed to accommodate a substrate to be processed, and an inner door formed to b...

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1. Verfasser: LIM, Kunyoung
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides a high-pressure substrate processing apparatus and a processing gas line used therefor. The high-pressure substrate processing apparatus comprises: an inner chamber having an inner housing formed to accommodate a substrate to be processed, and an inner door formed to be movable between a closed position for closing the inner housing and an open position for opening the inner housing; an outer chamber having an outer housing disposed to accommodate the inner chamber, and an outer door that can be moved to open and close the outer housing; and an air supply module having a processing gas line, which supplies processing gas for processing the substrate into the inner chamber at a first pressure higher than atmospheric pressure, and a protective gas line, which supplies a protective gas to a protective space between the outer chamber and the inner chamber at a second pressure set in relation to the first pressure. The processing gas line comprises: an introduction section having a discharge port disposed in the protective space; and a transfer section having a connection port which is connected to the discharge port in the closed position and moved apart from the discharge port in the open position, the transfer section being formed to transfer the processing gas, input from the introduction section, into the inner housing. La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat haute pression et une conduite de gaz de traitement utilisée à cet effet. L'appareil de traitement de substrat haute pression comprend : une chambre interne ayant un boîtier interne formé pour recevoir un substrat à traiter, et une porte interne formée pour être mobile entre une position fermée pour fermer le boîtier interne et une position ouverte pour ouvrir le boîtier interne ; une chambre externe ayant un boîtier externe disposé pour recevoir la chambre interne, et une porte externe qui peut être déplacée pour ouvrir et fermer le boîtier externe ; et un module d'alimentation en air ayant une conduite de gaz de traitement, qui fournit un gaz de traitement pour traiter le substrat dans la chambre interne à une première pression supérieure à la pression atmosphérique, et une conduite de gaz de protection, qui fournit un gaz protecteur à un espace de protection entre la chambre externe et la chambre interne à une seconde pression réglée par rapport à la première pression. La conduite de gaz de traitement comprend : une section d'introduction