VOLTAGE DIVIDER CIRCUITS, COMPARATORS, AND ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTERS UTILIZING NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

The present disclosure provides a voltage divider circuit utilizing non-volatile memory devices. The non-volatile memory device may include a memristor device, an MRAM (Magnetoresistive random access memory) device, a phase-change memory (PCM) device, a floating gate, a spintronic device, etc. The voltage divider circuit may include one or more non-volatile memory devices that form a resistor ladder that may produce reference voltages when the resistor ladder is connected between two voltages. The present disclosure further provides a comparator utilizing non-volatile memory devices and analog-to-digital converters (ADCs) utilizing the comparator analog-to-digital converters (ADCs) utilizing the comparator. The comparator is configured to compare an analog input voltage and a reference voltage and produce a digital output indicative of the comparison result. The digital output may represent a resistance state of the non-volatile memory device in response to the application of the reference voltage and the analog input voltage to the comparator. La présente divulgation concerne un circuit diviseur de tension utilisant des dispositifs de mémoire non volatile. Le dispositif de mémoire non volatile peut comprendre un dispositif de mémristor, un dispositif MRAM (mémoire vive magnétorésistive), un dispositif de mémoire à changement de phase (PCM), une grille flottante, un dispositif spintronique, etc. Le circuit diviseur de tension peut comprendre un ou plusieurs dispositifs de mémoire non volatile qui forment une échelle de résistance qui peut produire des tensions de référence lorsque l'échelle de résistance est connectée entre deux tensions. La présente divulgation concerne en outre un comparateur utilisant des dispositifs de mémoire non volatile et des convertisseurs analogique-numérique (CAN) utilisant les convertisseurs analogique-numérique (CAN) de comparateur utilisant le comparateur. Le comparateur est configuré pour comparer une tension d'entrée analogique et une tension de référence et produire une sortie numérique indicative du résultat de comparaison. La sortie numérique peut représenter un état de résistance du dispositif de mémoire non volatile en réponse à l'application de la tension de référence et de la tension d'entrée analogique au comparateur.