PROTECTION OF SENSITIVE SURFACES IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

Methods and apparatus for transient protection of a sensitive surface of a substrate are described. Methods that facilitate transient protection of a sensitive surface of substrate include depositing a sacrificial capping layer on a sensitive surface of the substrate after a processing operation. The capping layer deposition and the prior processing operation occur under vacuum. In some embodiments, for example, the capping layer deposition and the prior processing operation occur in different modules of a tool connected by a vacuum transfer chamber. In other embodiments, the capping layer deposition and the prior processing operation occur in the same module Methods that facilitate transient protection of a sensitive surface of substrate include removing the capping layer from the sensitive surface of the substrate prior to a subsequent processing operation. The removal is performed without damaging the sensitive surface or underlying layers of the semiconductor substrate. L'invention concerne des procédés et un appareil de protection transitoire d'une surface sensible d'un substrat. Des procédés qui facilitent la protection transitoire d'une surface sensible d'un substrat comprennent le dépôt d'une couche de recouvrement sacrificielle sur une surface sensible du substrat après une opération de traitement. Le dépôt de couche de recouvrement et l'opération de traitement préalable se produisent sous vide. Dans certains modes de réalisation, par exemple, le dépôt de couche de recouvrement et l'opération de traitement préalable se produisent dans différents modules d'un outil relié par une chambre de transfert sous vide. Dans d'autres modes de réalisation, le dépôt de couche de recouvrement et l'opération de traitement préalable se produisent dans le même module. Des procédés qui facilitent la protection transitoire d'une surface sensible du substrat comprennent le retrait de la couche de recouvrement de la surface sensible du substrat avant une opération de traitement ultérieure. Le retrait est effectué sans endommager la surface sensible ou des couches sous-jacentes du substrat semi-conducteur.