NON-VOLATILE MEMORY WITH LOWER CURRENT PROGRAM-VERIFY

A memory system programs memory cells connected to a selected word line by applying doses of programming and performing program-verify between doses. An efficient and low current program-verify operation includes: while scanning the results of a previous program-verify operation, ramp up voltages on the select lines for the next program-verify operation without waiting for the scan to complete and ramp up voltages on unselected word lines for the next program-verify operation following a step signal (so that voltage applied to the unselected word lines rise in steps) without waiting for the scan to complete. Un système de mémoire programme des cellules de mémoire connectées à une ligne de mots sélectionnée en appliquant des doses de programmation et en mettant en oeuvre une vérification de programme entre les doses. Une opération de vérification de programme efficace et à faible courant comprend les étapes suivantes : pendant le balayage des résultats d'une opération précédente de vérification de programme, augmenter les tensions sur les lignes sélectionnées pour l'opération de vérification de programme suivante sans attendre la fin du balayage, et augmenter les tensions sur des lignes de mots non sélectionnées pour l'opération de vérification de programme suivante consécutivement à un signal d'étape (de sorte que la tension appliquée aux lignes de mots non sélectionnées augmente par étapes) sans attendre la fin du balayage.