SEMICONDUCTOR COMPONENT

Halbleiterbauteil (10) zum Emittieren von Laserlicht mit einem Grundkörper (11) und mindestens einen auf einer Oberfläche (18) des Grundkörpers (11) angeordneten Mesakörper (12) mit einem oberflächlichen Emissionsbereich (13) für das Laserlicht, dem ein p-dotierter Spiegelabschnitt (15), ein n-dotierter Spiegelabschnitt (16) und ein zwischen den beiden Spiegelabschnitten (15, 16) angeordneter aktiver Abschnitt (17) zur Erzeugung des Lichts innerhalb des Mesakörpers (12) zugeordnet sind, und mit elektrischen Kontakten (24) zum Einspeisen von elektrischer Energie in den aktiven Abschnitt (17). Ein vom Grundkörper (11) beinhaltetes außenliegendes Substrat (20) weist eine n-Dotierung auf. Eine p-dotierte Kontaktschicht (24) ist auf einer dem Substrate (20) gegenüberliegenden Seite des Grundkörpers angeordnet. Der p- dotierte Spiegelabschnitt (15) liegt auf der Kontaktschicht (24) auf. The invention relates to a semiconductor component (10) for emitting laser light, comprising a main body (11) and, arranged on a surface (18) of the main body (11), at least one mesa body (12) comprising a superficial emission region (13) for the laser light, which is assigned a p-doped mirror portion (15), an n-doped mirror portion (16) and an active portion (17), arranged between the two mirror portions (15, 16), for generating the light within the mesa body (12), and comprising electrical contacts (24) for feeding electrical energy into the active portion (17). An outer substrate (20) comprised by the main body (11) has n-type doping. A p-doped contact layer (24) is arranged on a side of the main body opposite the substrate (20). The p-doped mirror portion (15) bears on the contact layer (24). L'invention concerne un composant semi-conducteur (10) destiné à émettre une lumière laser, comprenant un corps principal (11) et, disposé sur une surface (18) du corps principal (11), au moins un corps de mesa (12) comprenant une région d'émission superficielle (13) pour la lumière laser, qui est attribuée à une partie de miroir p-dopée (15), une partie de miroir n-dopée (16) et une partie active (17), disposée entre les deux parties de miroir (15, 16), pour produire de la lumière à l'intérieur du corps de mesa (12), et comprenant des contacts électriques (24) pour alimenter en énergie électrique la partie active (17). Un substrat externe (20) compris par le corps principal (11) présente un dopage de type n. Une couche de contact p-dopée (24) est disposée sur un côté du corps principal