POWER MOSFET DEVICE

The disclosure relates to a power MOSFET device (10) having a source terminal, a drain terminal and a gate terminal. The power MOSFET device comprises a drain contact (105) formed at a bottom side (11) of the MOSFET device; a first electrode (103); a second electrode (102a) and a third electrode (102b). The drain contact (105) is electrically connected to the drain terminal. The first electrode (103) is formed at a top side (12) of the MOSFET device (10), which top side (12) is opposing the bottom side (11). The first electrode (103) is electrically connected to the gate terminal. The second electrode (102a) is formed at the top side (12) of the MOSFET device (10). The second electrode (102a) is spaced apart (127) from the first electrode (103) and is electrically connected to the source terminal. The third electrode (102b) is formed between the first electrode (103) and the drain contact (105). The third electrode (102b) is spaced apart (123) from the first electrode (103) and is electrically connected to the source terminal. The third electrode (102b) is configured to reduce a capacitive coupling of the first electrode (103) to the drain contact (105). La divulgation se rapporte à un dispositif de transistor MOSFET de puissance (10) comportant une borne de source, une borne de drain et une borne de grille. Le dispositif de transistor MOSFET de puissance comprend un contact de drain (105) formé au niveau d'un côté inférieur (11) du dispositif de transistor MOSFET ; une première électrode (103) ; une deuxième électrode (102a) et une troisième électrode (102b). Le contact de drain (105) est raccordé électriquement à la borne de drain. La première électrode (103) est formée au niveau d'un côté supérieur (12) du dispositif de transistor MOSFET (10), lequel côté supérieur (12) est opposé au côté inférieur (11). La première électrode (103) est raccordée électriquement à la borne de grille. La deuxième électrode (102a) est formée sur le côté supérieur (12) du dispositif de transistor MOSFET (10). La deuxième électrode (102a) est espacée (127) de la première électrode (103) et est raccordée électriquement à la borne de source. La troisième électrode (102b) est formée entre la première électrode (103) et le contact de drain (105). La troisième électrode (102b) est espacée (123) de la première électrode (103) et est raccordée électriquement à la borne de source. La troisième électrode (102b) est configurée pour réduire un couplage capacitif de la première électrode