ISOTROPIC SILICON NITRIDE REMOVAL

Exemplary methods of etching a silicon-containing material may include flowing a first fluorine-containing precursor into a remote plasma region of a semiconductor processing chamber. The methods may include flowing a sulfur-containing precursor into the remote plasma region of the semiconductor processing chamber. The methods may include forming a plasma within the remote plasma region to generate plasma effluents of the first fluorine-containing precursor and the sulfur-containing precursor. The methods may include flowing the plasma effluents into a processing region of the semiconductor processing chamber. A substrate may be positioned within the processing region. The substrate may include a trench formed through stacked layers including alternating layers of silicon nitride and silicon oxide. The methods may include isotropically etching the layers of silicon nitride while substantially maintaining the silicon oxide. Des exemples de procédés de gravure d'un matériau contenant du silicium peuvent comprendre l'écoulement d'un premier précurseur contenant du fluor dans une région de plasma éloignée d'une chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre l'écoulement d'un précurseur contenant du soufre dans la région de plasma distante de la chambre de traitement de semi-conducteur. Lesdits procédés peuvent comprendre la formation d'un plasma à l'intérieur de la région de plasma distante pour générer des effluents de plasma du premier précurseur contenant du fluor et du précurseur contenant de l'oxygène. Les procédés peuvent également consister à réaliser l'écoulement des effluents de plasma dans une région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur. Un substrat peut être positionné à l'intérieur de la région de traitement. Le substrat peut comprendre une tranchée formée à travers des couches empilées comprenant des couches alternées de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium. Les procédés peuvent comprendre la gravure isotrope des couches de nitrure de silicium tout en maintenant sensiblement l'oxyde de silicium.