METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND RESULTING SEMICONDUCTOR STRUCTURES
A method of forming a semiconductor structure includes forming an epitaxial semiconductor island having a first material characteristic on a base layer, and growing an epitaxial structure from the epitaxial semiconductor island and the base layer. The epitaxial structure has a second material charac...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A method of forming a semiconductor structure includes forming an epitaxial semiconductor island having a first material characteristic on a base layer, and growing an epitaxial structure from the epitaxial semiconductor island and the base layer. The epitaxial structure has a second material characteristic that is different from the first material characteristic of the epitaxial semiconductor island. Related semiconductor device structures are also disclosed.
Un procédé de formation d'une structure semi-conductrice comprend la formation d'un îlot semi-conducteur épitaxial ayant une première caractéristique de matériau sur une couche de base, et la croissance d'une structure épitaxiale à partir de l'îlot semi-conducteur épitaxial et de la couche de base. La structure épitaxiale a une seconde caractéristique de matériau qui est différente de la première caractéristique de matériau de l'îlot semi-conducteur épitaxial. L'invention concerne également des structures de dispositif à semi-conducteur associées. |
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