PLASMA-RESISTANT GLASS, INNER CHAMBER COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR

The present invention relates to plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and manufacturing methods therefor and, particularly, to plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and manufacturing methods therefor, wherein the contents of components in the plasma-resistant glass are adjusted, and a Ge-based oxide is added to achieve a low melting temperature, a thermal expansion coefficient of the plasma-resistant glass is reduced to prevent damage from thermal shock during use at high temperatures, and light transmittance and durability of the plasma-resistant glass can be improved. La présente invention concerne un verre résistant au plasma, un composant de chambre interne pour un processus de fabrication de semi-conducteur et des procédés de fabrication associés et, en particulier, un verre résistant au plasma, un composant de chambre interne pour un processus de fabrication de semi-conducteur et des procédés de fabrication associés, la teneur des composants dans le verre résistant au plasma étant ajustée, un oxyde à base de Ge étant ajouté pour obtenir une basse température de fusion, un coefficient de dilatation thermique du verre résistant au plasma étant réduit pour empêcher tout endommagement dû à un choc thermique pendant l'utilisation à des températures élevées, et la transmittance de lumière et la durabilité du verre résistant au plasma pouvant être améliorées. [요약] 본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하고, Ge계 산화물을 포함하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시킬 수 있는 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다. [대표도] 도 3