PLASMA-RESISTANT GLASS, INNER CHAMBER COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND METHODS FOR MANUFACTURING GLASS AND COMPONENT

The present invention relates to a plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and the component, and specifically, to a plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and the component, wherein the contents of plasma-resistant glass components in the plasma-resistant glass are adjusted and SrO is added to achieve a lower melting temperature, the thermal expansion coefficient of the plasma-resistant glass is reduced to prevent damage from thermal shock during high-temperature use, and the plasma-resistant glass has improved light transmittance and durability. La présente invention concerne un verre résistant au plasma, un composant de chambre interne pour un procédé de fabrication de semi-conducteur, et des procédés de fabrication du verre et du composant, et spécifiquement, un verre résistant au plasma, un composant de chambre interne pour un procédé de fabrication de semi-conducteur, et des procédés de fabrication du verre et du composant, le contenu de composants de verre résistant au plasma dans le verre résistant au plasma étant ajusté et du SrO étant ajouté pour obtenir une température de fusion inférieure, le coefficient de dilatation thermique du verre résistant au plasma étant réduit pour empêcher un endommagement du choc thermique pendant une utilisation à haute température, et le verre résistant au plasma ayant une transmittance de lumière et une durabilité améliorées. [요약] 본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하고, SrO를 추가로 포함하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시킬 수 있는 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다. [대표도] 도 1