THIN FILM TRANSISTOR, TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE

A thin film transistor, a transistor array substrate comprising same, and a method for manufacturing the transistor array substrate, are provided. The thin film transistor comprises: a substrate; an active layer disposed on the substrate and including a channel region, a source region connected to one side of the channel region, and a drain region connected to the other side of the channel region; a gate insulating layer disposed on a portion of the active layer; a gate electrode formed of an electrode conductive layer on the gate insulating layer and overlapping the channel region of the active layer; a source electrode formed of the electrode conductive layer, extending into the source region of the active layer, and contacting a portion of the source region; and a drain electrode formed of the electrode conductive layer, extending into the drain region of the active layer, and contacting a portion of the drain region. The active layer is formed of an oxide semiconductor including crystals formed by heat treatment, and is disposed in the form of an intact plane. Transistor à couches minces, substrat de réseau de transistors le comprenant, et procédé de fabrication du substrat de réseau de transistors. Le transistor à couches minces comprend : un substrat ; une couche active disposée sur le substrat et comprenant une région de canal, une région de source connectée à un côté de la région de canal, et une région de drain connectée à l'autre côté de la région de canal ; une couche d'isolation de grille disposée sur une partie de la couche active ; une électrode de grille formée d'une couche conductrice d'électrode sur la couche d'isolation de grille et chevauchant la région de canal de la couche active ; une électrode de source formée de la couche conductrice d'électrode, s'étendant dans la région de source de la couche active, et en contact avec une partie de la région de source ; et une électrode de drain formée de la couche conductrice d'électrode, s'étendant dans la région de drain de la couche active, et en contact avec une partie de la région de drain. La couche active est formée d'un semi-conducteur d'oxyde comprenant des cristaux formés par traitement thermique, et est disposée sous la forme d'un plan intact. 박막트랜지스터, 이를 포함한 트랜지스터 어레이 기판, 및 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법이 제공된다. 박막트랜지스터는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 채널영역, 상기 채널영역의 일측에 이어진 소스영역 및 상기 채널영역의 다른 일측에 이어진 드레인영역을 포함하는 액티브층, 상기 액티브층의 일부 상에 배치되는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상의 전극 도전층으로 이루어지고 상기 액티브층의 상기 채널 영역과 중첩되는 게이트 전극, 상