IMAGING DEVICE, RANGING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING DEVICE

This imaging device (100) comprises: a substrate; a photoelectric conversion unit (211) that is provided in the substrate; a first transfer transistor that includes a first control terminal (221g) and that is connected to the photoelectric conversion unit (211); and a second transfer transistor that includes a second control terminal (231g) and that is connected to the photoelectric conversion unit (211). The photoelectric conversion unit (211) includes a first semiconductor region that is of a first conductivity type and that is provided in the substrate (170). In plan view of the substrate, the first control terminal (221g) and the second control terminal (231g) both overlap with the first semiconductor region. The area (S1) where the first control terminal (221g) and the first semiconductor region overlap and the area (S2) where the second control terminal (231g) and the first semiconductor region overlap are at least 20% of the area (SPD) of the photoelectric conversion unit (211). Ce dispositif d'imagerie (100) comprend : un substrat ; une unité de conversion photoélectrique (211) qui est disposée dans le substrat ; un premier transistor de transfert qui comprend une première borne de commande (221g) et qui est connecté à l'unité de conversion photoélectrique (211) ; et un second transistor de transfert qui comprend une seconde borne de commande (231g) et qui est connecté à l'unité de conversion photoélectrique (211). L'unité de conversion photoélectrique (211) comprend une première région semi-conductrice qui est d'un premier type de conductivité et qui est disposée dans le substrat (170). Dans une vue en plan du substrat, la première borne de commande (221g) et la seconde borne de commande (231g) chevauchent toutes deux la première région semi-conductrice. La zone (S1) où la première borne de commande (221g) et la première région semi-conductrice se chevauchent et la zone (S2) où la seconde borne de commande (231g) et la première région semi-conductrice se chevauchent équivalent à au moins 20 % de la zone (SPD) de l'unité de conversion photoélectrique (211). 撮像装置（１００）は、基板と、基板内に設けられた光電変換部（２１１）と、第１の制御端子（２２１ｇ）を含み、光電変換部（２１１）に接続された第１の転送トランジスタと、第２の制御端子（２３１ｇ）を含み、光電変換部（２１１）に接続された第２の転送トランジスタと、を備える。光電変換部（２１１）は、基板（１７０）内に設けられた第１の導電型の第１の半導体領域を含む。基板の平面視において、第１の制御端子（２２１ｇ）及び第２の制御端子（２３１ｇ）はそれぞれ、第１の半導体領域に重なる。第１の制御端子（２２１ｇ）と第１の半導体領域とが重なる面積（Ｓ１）と、第２の制御端子（２３１ｇ）と第１の半導体領域とが重なる面積（Ｓ２）は、光電変換部（２１１）の面積（ＳＰＤ）の２０％以上である。