IMAGING DEVICE, RANGING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING IMAGING DEVICE

An imaging device (100) comprises: a first semiconductor layer (170); a unit cell that includes n (n is a natural number) pixels (201) and a charge storage unit (FD) for storing charge generated by the n pixels; and a drive circuit (130). The n pixels each include a photoelectric conversion unit (211), a first transfer transistor (221) having a first control terminal (221g), and a second transfer transistor (231) having a second control terminal (231g). The drive circuit (130) supplies a voltage corresponding to one operation mode selected from among a plurality of operation modes to the first semiconductor layer (170) and to the first control terminal (221g) or the second control terminal (231g). Un dispositif d'imagerie (100) comprend : une première couche semi-conductrice (170) ; une cellule unitaire qui comprend n (n étant un nombre entier naturel) pixels (201) et une unité de stockage de charge (FD) destinée à stocker une charge générée par les n pixels ; et un circuit d'attaque (130). Les n pixels comprennent chacun une unité de conversion photoélectrique (211), un premier transistor de transfert (221) comprenant une première borne de commande (221g), et un second transistor de transfert (231) comprenant une seconde borne de commande (231g). Le circuit d'attaque (130) fournit une tension correspondant à un mode de fonctionnement sélectionné parmi une pluralité de modes de fonctionnement à la première couche semi-conductrice (170) et à la première borne de commande (221g) ou à la seconde borne de commande (231g). 撮像装置（１００）は、第１の半導体層（１７０）と、ｎ個（ｎは自然数）の画素（２０１）、及び、ｎ個の画素で発生する電荷を蓄積するための電荷蓄積部（ＦＤ）を含む単位セルと、駆動回路（１３０）と、を備える。ｎ個の画素の各々は、光電変換部（２１１）と、第１の制御端子（２２１ｇ）を有する第１の転送トランジスタ（２２１）と、第２の制御端子（２３１ｇ）を有する第２の転送トランジスタ（２３１）と、を含む。駆動回路（１３０）は、第１の半導体層（１７０）、又は、第１の制御端子（２２１ｇ）若しくは第２の制御端子（２３１ｇ）に、複数の動作モードから選択された１つの動作モードに応じた電圧を供給する。