FILM FORMATION METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS

The present invention provides: a film formation method for forming a film selectively; and a substrate treatment apparatus. Provided is a film formation method for forming, in a substrate having a first surface and a second surface, a film containing at least silicon and oxygen on the second surface in a selective manner with respect to the first surface, said method comprising: a step for supplying a nitrogen-containing gas or carbon-containing gas to the substrate and turning the first surface into a nitride surface formed of a nitride or into a carbon surface formed of a carbide; a step for supplying a metal-containing catalyst to the substrate; and a step for supplying a silanol-containing silicon precursor to the substrate. La présente invention concerne : un procédé de formation de film pour former un film de manière sélective ; et un appareil de traitement de substrat. L'invention concerne un procédé de formation de film pour former, dans un substrat ayant une première surface et une seconde surface, un film contenant au moins du silicium et de l'oxygène sur la seconde surface d'une manière sélective par rapport à la première surface, ledit procédé comprenant : une étape consistant à fournir un gaz contenant de l'azote ou un gaz contenant du carbone au substrat et à changer la première surface en une surface de nitrure constituée de nitrure ou dans une surface de carbone constituée de carbure ; une étape consistant à fournir un catalyseur contenant du métal au substrat ; et une étape consistant à fournir un précurseur de silicium contenant du silanol au substrat. 選択的に膜を形成する膜形成方法及び基板処理装置を提供する。 第１表面及び第２表面を有する基板において、前記第１表面上に対して前記第２表面上に選択的に少なくともケイ素と酸素を含有する膜を形成する膜形成方法であって、前記基板に窒素含有ガスまたは炭素含有ガスを供給して、前記第１表面を窒化物で形成される窒化表面または炭化物で形成される炭素表面とする工程と、前記基板に金属含有触媒を供給する工程と、前記基板にシラノールを含むシリコン前駆体を供給する工程と、を有する、膜形成方法が提供される。