PLASMA PROCESSING DEVICE AND POWER SUPPLY SYSTEM

Provided is technology for improving the controllability of plasma generated on a substrate. This plasma processing device includes: a chamber; a substrate support part provided within the chamber, the substrate support part including a lower electrode; an upper electrode disposed above the substrate support part; a first RF power supply configured to supply a first RF signal having a first RF frequency to the upper electrode or to the lower electrode; a second RF power supply configured to supply a second RF signal having a second RF frequency to the lower electrode; and a third RF power supply configured to supply a third RF signal having a third RF frequency to the lower electrode. The three RF power supplies supply RF signals at respective electric power levels in three periods within respective cycles. L'invention concerne une technologie qui permet d'améliorer la contrôlabilité d'un plasma généré sur un substrat. Ce dispositif de traitement au plasma comprend : une chambre ; une partie de support de substrat située dans la chambre, la partie de support de substrat comprenant une électrode inférieure ; une électrode supérieure disposée au-dessus de la partie de support de substrat ; une première alimentation électrique RF configurée pour fournir un premier signal RF ayant une première fréquence RF à l'électrode supérieure ou à l'électrode inférieure ; une deuxième alimentation électrique RF configurée pour fournir un deuxième signal RF ayant une deuxième fréquence RF à l'électrode inférieure ; et une troisième alimentation électrique RF configurée pour fournir un troisième signal RF ayant une troisième fréquence RF à l'électrode inférieure. Les trois alimentations électriques RF fournissent des signaux RF à des niveaux de puissance électrique respectifs en trois périodes à l'intérieur de cycles respectifs. 基板上に生成されるプラズマの制御性を向上する技術を提供する。 プラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバ内に配置され、下部電極を含む基板支持部と、基板支持部の上方に配置される上部電極と、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号を上部電極又は下部電極に供給するように構成される第１のＲＦ電源と、第２のＲＦ周波数を有する第２のＲＦ信号を下部電極に供給するように構成される第２のＲＦ電源と、第３のＲＦ周波数を有する第３のＲＦ信号を下部電極に供給するように構成される第３のＲＦ電源と、を含む。３つのＲＦ電源は、各サイクル内の３つ期間において各々の電力レベルのＲＦ信号を供給する。