SILICON NITRIDE SINTERED BODY, WEAR-RESISTANT MEMBER, SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY

The present invention provides a silicon nitride sintered body which enables firing at low temperatures, while having high strength. A silicon nitride sintered body according to one embodiment of the present invention contains 0.1% by mass to 10% by mass of zirconium in terms of oxide. With respect...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: YAMAGATA, Yoshihito, FUKASAWA, Takayuki, HOUTSUKI, Naoto, AOKI, Katsuyuki
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides a silicon nitride sintered body which enables firing at low temperatures, while having high strength. A silicon nitride sintered body according to one embodiment of the present invention contains 0.1% by mass to 10% by mass of zirconium in terms of oxide. With respect to the XRD analysis (2θ) of an any given cross-section of the silicon nitride sintered body, if I35.3 is the maximum peak intensity detected at 35.3° ± 0.2° on the basis of α-form silicon nitride crystal grains, I27.0 is the maximum peak detected at 27.0° ± 0.2° on the basis of β-form silicon nitride crystal grains, and I33.9 is the maximum peak detected at 33.9° ± 0.2° on the basis of zirconium nitride, 0.01 ≤ I35.3/I27.0 ≤ 0.5 and 0 ≤ I33.9/I27.0 ≤ 1.0 are satisfied. La présente invention concerne un corps fritté de nitrure de silicium qui permet une cuisson à basse température, tout en ayant une résistance élevée. Un corps fritté de nitrure de silicium selon un mode de réalisation de la présente invention contient 0,1 % en masse à 10 % en masse de zirconium en termes d'oxyde. Par rapport à l'analyse XRD (2θ) d'une section transversale donnée quelconque du corps fritté de nitrure de silicium, si I35,3 est l'intensité de pic maximale détectée à 35,3° ± 0,2° sur la base de grains cristallins de nitrure de silicium de forme α, I27,0 est le pic maximal détecté à 27,0° ± 0,2° sur la base de grains cristallins de nitrure de silicium de forme β, et I33,9 est le pic maximal détecté à 33,9° ± 0,2° sur la base du nitrure de zirconium, 0,01 ≤ I35,3/I27,0 ≤ 0,5 et 0 ≤ I33,9/I27,0 ≤ 1,0 sont satisfaites. 低温焼成が可能で強度の高い窒化珪素焼結体を提供する。実施形態に係る窒化珪素焼結体は、ジルコニウムを酸化物換算で0.1質量%以上10質量%以下含有する。前記窒化珪素焼結体の任意の断面のXRD分析(2θ)において、α型窒化珪素結晶粒子に基づいて35.3°±0.2°に検出される最強ピーク強度をI35.3、β型窒化珪素結晶粒子に基づいて27.0°±0.2°に検出される最強ピークをI27.0、窒化ジルコニウムに基づいて33.9°±0.2°に検出される最強ピークをI33.9とした場合に、0.01≦I35.3/I27.0≦0.5、および、0≦I33.9/I27.0≦1.0を満たす。