METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR HAVING ELECTRODE IN PACKAGE, PACKAGE OF POWER SEMICONDUCTOR

The present invention concerns a method for manufacturing a package of a power semiconductor and a package comprising a power semiconductor. The package comprises: conducting layers over each electrode of the power semiconductor, nanowires over the part of the conducting layer that are over the electrodes, cured prepeg on each side of the power semiconductor and over a part of a masking film that separate two electrodes, conducting layers over nanowires, the conducting layers over each electrode of the power semiconductor, the nanowires and the conducting layers over the nanowires forming a single conductor unit. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un boîtier d'un semi-conducteur de puissance et un boîtier comprenant un semi-conducteur de puissance. Le boîtier comprend : des couches conductrices sur chaque électrode du semi-conducteur de puissance, des nanofils sur la partie de la couche conductrice qui sont sur les électrodes, un préimprégné durci sur chaque côté du semi-conducteur de puissance et sur une partie d'un film de masquage qui sépare deux électrodes, des couches conductrices sur des nanofils, les couches conductrices sur chaque électrode du semi-conducteur de puissance, les nanofils et les couches conductrices sur les nanofils formant une seule unité conductrice.