SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROTECTION SYSTEM

The purpose of the present invention is to provide a technology capable of suppressing abnormality due to a short-circuit current and surge voltage of a power semiconductor switching element. This semiconductor device comprises: a protective circuit that, on the basis of the voltage of a first terminal of a power semiconductor switching element, decreases the control voltage of the power semiconductor switching element; a voltage-dividing resistor that, on the basis of counter electromotive force generated in an internal inductance, generates divided voltage; and a first semiconductor switching element that, on the basis of the divided voltage, decreases the control voltage of the power semiconductor switching element at a timing earlier than the protective circuit and more sharply than the protective circuit. Le but de la présente invention est de fournir une technologie capable de supprimer une anomalie due à un courant de court-circuit et à une surtension d'un élément de commutation à semi-conducteur de puissance. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : un circuit de protection qui, sur la base de la tension d'une première borne d'un élément de commutation à semi-conducteur de puissance, diminue la tension de commande de l'élément de commutation à semi-conducteur de puissance ; une résistance de division de tension qui, sur la base d'une force contre-électromotrice générée dans une inductance interne, génère une tension divisée ; et un premier élément de commutation à semi-conducteur qui, sur la base de la tension divisée, diminue la tension de commande de l'élément de commutation à semi-conducteur de puissance à un instant antérieur au circuit de protection et plus fortement que le circuit de protection. パワー半導体スイッチング素子の短絡電流及びサージ電圧による異常を抑制可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置は、パワー半導体スイッチング素子の第１端子の電圧に基づいて、パワー半導体スイッチング素子の制御電圧を低下させる保護用回路と、内部インダクタンスに生じる逆起電力に基づいて分圧を生成する分圧抵抗と、分圧に基づいて、保護用回路よりも早いタイミングで、かつ、保護用回路よりも急峻に、パワー半導体スイッチング素子の制御電圧を低下させる第１半導体スイッチング素子とを備える。