SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

This substrate for a semiconductor device comprises a ceramic substrate and a copper sheet joined to at least one surface of the ceramic substrate. The ceramic substrate has a Cu region having a Cu presence depth of 11.0 to 20.0 μm, the Cu presence depth being measured from the joining interface with the copper sheet and having a cumulative Cu mass concentration which reaches 90%. Ce substrat pour un dispositif à semi-conducteur comprend un substrat en céramique et une feuille de cuivre assemblée à au moins une surface du substrat en céramique. Le substrat en céramique a une région de Cu ayant une profondeur de présence de Cu de 11,0 à 20,0 µm, la profondeur de présence de Cu étant mesurée à partir de l'interface d'assemblage avec la feuille de cuivre et ayant une concentration en masse de Cu cumulé qui atteint 90 %. 本発明に係る半導体装置用基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板の少なくとも一方の面に接合された銅板と、を備え、前記セラミック基板において、前記銅板との接合界面から積算Ｃｕ質量濃度９０％を示す際のＣｕ存在深さが、１１．０～２０．０μｍである、Ｃｕ存在領域を有している。