SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

In one embodiment, the semiconductor device (1) comprises a semiconductor body (2), a gate electrode (33) and a first electrode (31), wherein - the semiconductor body (2) comprises a first region (21) which is a source region or an emitter region, and comprises a well region (22) located next to the first region (21), the first region (21) is of a first conductivity type and the well region (22) is of a second conductivity type, - the well region (22) is separated from the gate electrode (33) by a gate insulator layer (4), - the first region (21) is electrically contacted by means of the first electrode (31), - in the first region (21) there is at least one current limiting region (5), and - the at least one current limiting region (5) is a sub- region of the first region (21) with a decreased electrical conductivity. Dans un mode de réalisation, un dispositif à semi-conducteur (1) comprend un corps semi-conducteur (2), une électrode de grille (33) et une première électrode (31), - le corps semi-conducteur (2) comprenant une première région (21) qui est une région source ou une région émettrice, et comprenant une région de puits (22) située à côté de la première région (21), la première région (21) ayant un premier type de conductivité et la région de puits (22) ayant un second type de conductivité, - la région de puits (22) étant séparée de l'électrode de grille (33) par une couche d'isolation de grille (4), - la première région (21) étant mise en contact électrique au moyen de la première électrode (31), - la première région (21) comprenant au moins une région de limitation de courant (5), et - la ou les régions de limitation de courant (5) étant des sous-régions de la première région (21) dont la conductivité électrique est réduite.