SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

In one embodiment, the semiconductor device (1) comprises a semiconductor body (2), a gate electrode (33) and a first electrode (31), wherein - the semiconductor body (2) comprises a first region (21) which is a source region or an emitter region, and comprises a well region (22), the first region (21) is of a first conductivity type and the well region (22) is of a different, second conductivity type, - the well region (22) is separated from the gate electrode (33) by a gate insulator layer (4), - the first region (21) is electrically contacted by means of the first electrode (31) which is a source electrode or an emitter electrode, - in the first region (21) there is at least one current limiting region (5), and - the at least one current limiting region (5) is of at least one electrically insulating material. Dans un mode de réalisation, le dispositif à semi-conducteur (1) comprend un corps semi-conducteur (2), une électrode de grille (33) et une première électrode (31) - le corps semi-conducteur (2) comprend une première région (21) qui est une région de source ou une région émettrice, et comprend une région de puits (22), la première région (21) est d'un premier type de conductivité et la région de puits (22) est d'un second type de conductivité différent, - la région de puits (22) est séparée de l'électrode de grille (33) par une couche d'isolant de grille (4), - la première région (21) est électriquement mise en contact au moyen de la première électrode (31) qui est une électrode de source ou une électrode émettrice, - dans la première région (21) se trouve au moins une région de limitation de courant (5), et - l'au moins une région de limitation de courant (5) est d'au moins un matériau électriquement isolant.