SEMICONDUCTOR SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING AND OPERATING THEREOF

A semiconductor system (1) and its manufacturing and operating method are disclosed. The semiconductor system (1) includes a clamping circuit (104), a first filter (110), a second filter (120), a first operational amplifier (OP) (130) and a second OP (140). The clamping circuit (104) is connected to a first terminal (100a) of a semiconductor device (100) to prevent the semiconductor device (100) from interference. The first filter (110) is connected to the clamping circuit (104). The first OP (130) is connected to the first filter (110). The first OP (130) is configured as a differential OP to generate a first output voltage (136), so that a voltage drop across a measurement resistor (150) is excluded and an on-state voltage drop across the semiconductor device (100) is measured. The second filter (120) is connected to a second terminal (100c) of the semiconductor device (100). The second OP (140) is connected to the second filter (120). The second OP (140) is configured to generate a second output voltage (146) so as to measure the current flowing through the semiconductor device (100). The first output voltage (136) and the second output voltage (146) are configured to measure an on-resistance of the semiconductor device (100). L'invention concerne un système à semi-conducteur (1) et son procédé de fabrication et de fonctionnement. Le système à semi-conducteur (1) comprend un circuit de serrage (104), un premier filtre (110), un second filtre (120), un premier amplificateur opérationnel (OP) (130) et un second OP (140). Le circuit de serrage (104) est connecté à une première borne (100a) d'un dispositif à semi-conducteur (100) pour empêcher le dispositif à semi-conducteur (100) de subir des interférences. Le premier filtre (110) est connecté au circuit de serrage (104). Le premier OP (130) est connecté au premier filtre (110). Le premier OP (130) est configuré comme un OP différentiel pour générer une première tension de sortie (136), de sorte qu'une chute de tension à travers une résistance de mesure (150) est exclue et qu'une chute de tension à l'état passant dans le dispositif à semi-conducteur (100) est mesurée. Le second filtre (120) est connecté à une seconde borne (100c) du dispositif à semi-conducteur (100). Le second OP (140) est connecté au second filtre (120). Le second OP (140) est configuré pour générer une seconde tension de sortie (146) de façon à mesurer le courant circulant à travers le dispositif à semi-conducteur (100). La première ten