DEVICE AND PROCESS FOR IMPLEMENTING SILICON CARBIDE (SIC) SURFACE MOUNT DEVICES

In some aspects, a device includes a substrate. A first metallization arranged on the substrate. A second metallization arranged on the substrate. A circuit arranged on the substrate and electrically connected to the first metallization and the second metallization. The first metallization and the s...

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Hauptverfasser:	NOORI, Basim, MARBELL, Marvin, JANG, Haedong, FISHER, Jeremy, CHEANG, Samantha, KAM, Kok Meng, WOO, Eng Wah
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	In some aspects, a device includes a substrate. A first metallization arranged on the substrate. A second metallization arranged on the substrate. A circuit arranged on the substrate and electrically connected to the first metallization and the second metallization. The first metallization and the second metallization being configured, structured, and arranged to make a solder connection to a device, where the substrate may include silicon carbide (SiC). Selon certains aspects, un dispositif comprend un substrat. Une première métallisation disposée sur le substrat. Une seconde métallisation disposée sur le substrat. Un circuit disposé sur le substrat et connecté électriquement à la première métallisation et à la seconde métallisation. La première métallisation et la seconde métallisation étant configurées, structurées et agencées pour réaliser une connexion de soudure à un dispositif, le substrat pouvant comprendre du carbure de silicium (SiC).