PLASMA-EXPOSED PARTS COMPRISING AN ETCH-RESISTANT MATERIAL

One example provides a plasma-exposed part for a plasma processing tool. The plasma-exposed part comprises an etch-resistant material that has a lower etch rate than silicon or silicon carbide when exposed to plasma process gas chemistries comprising fluorine and/or oxygen. The etch-resistant material comprising one or more of (a) an oxide, a nitride, or an oxynitride of one or more of titanium, hafnium, zirconium, or tin, or (b) one or more of silicon or silicon carbide doped with one or more of titanium, hafnium, zirconium, or tin. L'invention concerne, selon un exemple, une pièce exposée au plasma pour un outil de traitement par plasma. La pièce exposée au plasma comporte un matériau résistant à la gravure qui présente un plus faible taux de gravure que le silicium ou le carbure de silicium lorsqu'il est exposé à des compositions chimiques de gaz de traitement par plasma comportant du fluor et/ou de l'oxygène. L'invention concerne également le matériau résistant à la gravure comportant un ou plusieurs constituants parmi (a) un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure d'un ou plusieurs éléments parmi le titane, le hafnium, le zirconium ou l'étain, ou (b) du silicium et/ou du carbure de silicium dopé avec un ou plusieurs éléments parmi le titane, le hafnium, le zirconium ou l'étain.