METHOD FOR MANUFACTURING NOZZLE PLATE

This method for manufacturing a nozzle plate 110 comprises: a first step for forming a first hole 305 that is longer in the [100] direction as compared with in the [010] direction and that is connected to a first surface Bb of a monocrystalline silicon substrate B in which the surface crystal orientation is in the (100) plane, and a second hole 306 that is connectable to the first hole 305 and to a second surface Ba of the monocrystalline silicon substrate B; and a second step for enlarging the first hole 305 and the second hole 306 by performing anisotropic wet etching on the monocrystalline silicon substrate B to form a nozzle flow path 100 that comprises a nozzle taper portion 20 having the (111) plane and a straight connecting portion 10 contiguous to the nozzle taper portion 20. Ce procédé de fabrication d'une plaque à buses (110) comprend : une première étape consistant à former un premier trou (305) qui est plus long dans la direction [100] par rapport à la direction [010] et qui est relié à une première surface Bb d'un substrat de silicium monocristallin B dans lequel l'orientation de cristal de surface est dans le plan (100), et un second trou (306) qui peut être relié au premier trou (305) et à une seconde surface Ba du substrat de silicium monocristallin B ; et une seconde étape consistant à agrandir le premier trou (305) et le second trou (306) en effectuant une gravure humide anisotrope sur le substrat de silicium monocristallin B pour former un trajet d'écoulement de buse (100) qui comprend une partie conique de buse (20) ayant le plan (111) et une partie de liaison droite (10) contiguë à la partie conique de buse (20). ノズルプレート１１０の製造方法は、表面の結晶方位が｛１００｝面である単結晶シリコン基板Ｂの第１面Ｂｂに連通し［０１０］方向に比べて［１００］方向に長尺な第１穴３０５と、第１穴３０５と単結晶シリコン基板Ｂの第２面Ｂａとに連通可能な第２穴３０６と、を形成する第１工程と、単結晶シリコン基板Ｂに対する異方性ウェットエッチングにより第１穴３０５及び第２穴３０６を拡大することで、｛１１１｝面を有するノズルテーパー部２０と、ノズルテーパー部２０に連続するストレート連通部１０と、を備えるノズル流路１００を形成する第２工程と、を含む。