EDGE EMITTING LASER DEVICE AND METHOD OF PROCESSING AN EDGE EMITTING LASER DEVICE

The invention concerns an edge emitting laser device, comprising an n-cornered mesa shaped substrate, whereas n is an even number. An elongated gain region with an active area, in particular a quantum well or a multi-quantum well is located within the n-cornered mesa shaped substrate and the facing with its ends two opposite facets of the n-cornered mesa shaped substrate. One facet of the two opposing facets comprises an exit window for light generated by pumping the active region. A resonator region is located within the n-cornered mesa shaped substrate and surrounds the elongated gain region. The elongated gain region and the resonator region are optically coupled. L'invention concerne un dispositif laser à émission latérale, comprenant un substrat en forme de mesa à n coins, n étant un nombre pair. Une région de gain allongée ayant une zone active, en particulier un puits quantique ou un puits multi-quantique, est située à l'intérieur du substrat en forme de mesa à n coins et fait face, par ses extrémités, à deux facettes, en regard, du substrat en forme de mesa à n coins. Une facette des deux facettes opposées comprend une fenêtre de sortie pour de la lumière générée par pompage de la région active. Une région de résonateur est située à l'intérieur du substrat en forme de mesa à n coins et entoure la région de gain allongée. La région de gain allongée et la région de résonateur sont couplées optiquement.