FORMING A PARTIALLY SILICIDED ELEMENT
A method of forming a partially silicided element is provided. A silicided structure including a silicide layer on a base structure is formed. A dielectric region is formed over the silicided structure. The dielectric region is etched to form a contact opening exposing a first area of the silicide l...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A method of forming a partially silicided element is provided. A silicided structure including a silicide layer on a base structure is formed. A dielectric region is formed over the silicided structure. The dielectric region is etched to form a contact opening exposing a first area of the silicide layer and a tub opening exposing a second area of the silicide layer. A conformal metal is deposited to (a) fill the contact opening to define a contact and (b) form a cup-shaped metal structure in the tub opening. Another etch is performed to remove the cup-shaped metal structure in the tub opening, to remove the underlying silicide layer second area and to expose an underlying area of the base structure, wherein the silicide layer first area remains intact. The base structure with the intact silicide layer first area and removed silicide layer second area defines the partially silicided element.
L'invention concerne un procédé de formation d'un élément partiellement siliciuré. Une structure siliciurée comprenant une couche de siliciure sur une structure de base est formée. Une région diélectrique est formée sur la structure siliciurée. La région diélectrique est gravée afin de former une ouverture de contact mettant à nu une première zone de la couche de siliciure et une ouverture en cuvette mettant à nu une seconde zone de la couche de siliciure. Un métal conforme est déposé pour (a) remplir l'ouverture de contact afin de définir un contact et (b) former une structure métallique en forme de coupelle dans l'ouverture en cuvette. Une autre gravure est effectuée afin de retirer la structure métallique en forme de coupelle dans l'ouverture en cuvette, de retirer la seconde zone de couche de siliciure sous-jacente et de mettre à nu une zone sous-jacente de la structure de base, la première zone de couche de siliciure restant intacte. La structure de base avec la première zone de couche de siliciure intacte et la seconde zone de couche de siliciure retirée définit l'élément partiellement siliciuré. |
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