PRESSURE SENSOR USING MAGNETIC FIELD

The present invention relates to a pressure sensor using a magnetic field. The present invention provides a pressure sensor using a magnetic field, the pressure sensor comprising: an elastic unit including a magnetic material having a residual magnetization value; and a circuit unit generating a Hal...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SUL, One Jae, KIM, Jeen Gi, KIM, Hyeong Jun
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a pressure sensor using a magnetic field. The present invention provides a pressure sensor using a magnetic field, the pressure sensor comprising: an elastic unit including a magnetic material having a residual magnetization value; and a circuit unit generating a Hall voltage when the magnetic field changes. When at least a part of the elastic unit is deformed according to an external pressure to change the magnetic field applied to the circuit unit, the magnitude of the Hall voltage corresponding to the change in the magnetic field in the circuit unit is detected. La présente invention concerne un capteur de pression utilisant un champ magnétique. La présente invention concerne un capteur de pression utilisant un champ magnétique, le capteur de pression comprenant : une unité élastique comprenant un matériau magnétique ayant une valeur de magnétisation résiduelle ; et une unité de circuit générant une tension de Hall lorsque le champ magnétique change. Lorsqu'au moins une partie de l'unité élastique est déformée en fonction d'une pression externe pour changer le champ magnétique appliqué à l'unité de circuit, l'amplitude de la tension de Hall correspondant au changement du champ magnétique dans l'unité de circuit est détectée. 본 발명은 자기장을 이용한 압력 센서에 관한 것이다. 본 발명은 자기장을 이용한 압력 센서로서, 잔류자화값을 갖는 자성 재질을 포함하는 탄성부; 자기장이 변화되면 홀 전압(hall voltage)이 생성되는 회로부;를 포함하고, 외부 압력에 따라서 상기 탄성부의 적어도 일부가 변형되어 상기 회로부에 작용하는 자기장이 변화하면, 상기 회로부에서 자기장의 변화에 대응하는 홀 전압의 크기를 감지하는 것을 특징으로 한다.