FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING SYSTEM

Provided is a film forming method for forming a graphene film. The film forming method comprises: a step for preparing a substrate that has a metal film; a first step for setting the substrate at a first temperature, generating plasma by supplying carbon-containing gas, and using the generated plasma to form, on the metal film, a graphene film that has a first thickness; a second step for setting the substrate at a second temperature higher than the first temperature, reducing the first thickness of the graphene film while keeping a continuous film of the graphene film, and forming a solid solution in which carbon atoms are dissolved in the metal film; and a third step for setting the substrate at a third temperature lower than the second temperature, and forming a modified graphene film while growing the graphene film by depositing, at the boundary between the metal film and the graphene film, the carbon atoms in the metal film. L'invention concerne un procédé de formation de film pour la formation d'un film de graphène. Le procédé de formation de film comprend : une étape consistant à préparer un substrat qui comporte un film métallique ; une première étape consistant à porter le substrat à une première température, à générer un plasma par apport d'un gaz contenant du carbone et à utiliser le plasma généré pour former, sur le film métallique, un film de graphène qui présente une première épaisseur ; une deuxième étape consistant à porter le substrat à une deuxième température supérieure à la première température, à réduire la première épaisseur du film de graphène tout en conservant un film continu du film de graphène et à former une solution solide dans laquelle des atomes de carbone sont dissous dans le film métallique ; et une troisième étape consistant à porter le substrat à une troisième température inférieure à la deuxième température et à former un film de graphène modifié tout en faisant croître le film de graphène par dépôt, à la limite entre le film métallique et le film de graphène, des atomes de carbone dans le film métallique. 成膜方法は、グラフェン膜を成膜する成膜方法であって、金属膜を有する基板を準備する工程と、基板を第１の温度とし、炭素含有ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて金属膜上に第１の膜厚を有するグラフェン膜を形成する第１の工程と、基板を第１の温度より高い第２の温度とし、グラフェン膜の連続膜を維持しつつ第１の膜厚より減膜させ、金属膜中に炭素原子を固溶させる第２の工程と、基板を第２の温度より低い第３の温度とし、金属膜中の炭素原子を金属膜とグラフェン膜との界面に析出させてグラフェン膜を増膜しつつ、改質したグラフェン膜を形成する第３の工程と、を有する。