XEF2 DRY-ETCHING SYSTEM AND PROCESS

Provided is an XeF2 dry-etching system capable of dramatically shortening the required duration for an XeF2 dry-etching process. This XeF2 dry-etching system is equipped with: a starting material vessel for storing XeF2; a variable capacity tank which is connected to the starting material vessel and is capable of storing the XeF2 supplied from the starting material vessel in a volume which can increase and decrease; an etching chamber which is connected to the variable capacity tank and subjects a substrate to dry etching using the XeF2 supplied from the variable capacity tank; a vacuum pump which is connected to the etching chamber and is capable of subjecting the etching chamber and the variable capacity tank to vacuum drawing; a first valve provided between the starting material vessel and the variable capacity tank; a second valve provided between the variable capacity tank and the etching chamber; and a third valve provided between the etching chamber and the vacuum pump. L'invention concerne un système de gravure sèche de XeF2 capable de raccourcir considérablement la durée requise pour un processus de gravure sèche de XeF2. Ce système de gravure sèche de XeF2 est équipé : d'un récipient de matériau de départ pour stocker du XeF2 ; un réservoir à capacité variable qui est relié au récipient de matériau de départ et est capable de stocker le XeF2 fourni à partir du récipient de matériau de départ dans un volume qui peut augmenter et diminuer ; une chambre de gravure qui est reliée au réservoir à capacité variable et soumet un substrat à une gravure sèche à l'aide du XeF2 fourni à partir du réservoir à capacité variable ; une pompe à vide qui est reliée à la chambre de gravure et qui est apte à soumettre la chambre de gravure et le réservoir à capacité variable à une mise sous vide ; une première soupape disposée entre le récipient de matériau de départ et le réservoir à capacité variable ; une deuxième soupape disposée entre le réservoir à capacité variable et la chambre de gravure ; et une troisième soupape disposée entre la chambre de gravure et la pompe à vide. ＸｅＦ２ドライエッチングプロセスの所要時間を大幅に短縮可能なＸｅＦ２ドライエッチングシステムが提供される。このＸｅＦ２ドライエッチングシステムは、ＸｅＦ２を収容する原料容器と、原料容器に接続され、原料容器から供給されるＸｅＦ２を増減可能な容量で収容可能な、容量可変タンクと、容量可変タンクに接続され、容量可変タンクから供給されるＸｅＦ２により基板に対してドライエッチングを行う、エッチングチャンバーと、エッチングチャンバーに接続され、エッチングチャンバー及び容量可変タンクを真空引き可能な真空ポンプと、原料容器と容量可変タンクとの間に設けられる第一バルブと、容量可変タンクとエッチングチャンバーとの間に設けられる第二バルブと、エッチングチャンバーと真空ポンプとの間に設けられる第三バルブとを備える。