METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY, SEMICONDUCTOR BODY AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

According to an embodiment, the method for producing a semiconductor body (10) comprises the step of providing a first semiconductor layer (1) of SiC, a further step of introducing carbon into the first semiconductor layer so that at least a portion of the first semiconductor layer becomes at least...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ARANGO, Yulieth Cristina, ALFIERI, Giovanni
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	According to an embodiment, the method for producing a semiconductor body (10) comprises the step of providing a first semiconductor layer (1) of SiC, a further step of introducing carbon into the first semiconductor layer so that at least a portion of the first semiconductor layer becomes at least one C-rich region (11) and a step of growing a second semiconductor layer (2) of SiC on the first semiconductor layer comprising the at least one C-rich region. Selon un mode de réalisation, le procédé de production d'un corps semi-conducteur (10) comprend l'étape consistant à fournir une première couche semi-conductrice (1) de SiC, une étape supplémentaire consistant à introduire du carbone dans la première couche semi-conductrice de telle sorte qu'au moins une partie de la première couche semi-conductrice devient au moins une région riche en C (11) et une étape consistant à faire croître une seconde couche semi-conductrice (2) de SiC sur la première couche semi-conductrice comprenant la ou les régions riches en C.