NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

The nitride-based semiconductor device includes a first nitride-based semiconductor layer, a second nitride-based semiconductor layer, a gate electrode, an ohmic electrode, a first field plate, and a second field plate. The second nitride-based semiconductor layer is disposed on the first nitride-based semiconductor layer. The gate electrode is disposed above the second nitride-based semiconductor layer. The ohmic electrode is disposed above the second nitride-based semiconductor layer. The first field plate is disposed above the second nitride-based semiconductor layer and between the gate electrode and the ohmic electrode. The second field plate is disposed above the first field plate and vertically overlapping with the first field plate. The second field plate has at least one portion extending downward to make contact with at least one connection region of the first field plate, and an isolation region of the first field plate is wrapped by dielectric. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à base de nitrure qui comprend une première couche semi-conductrice à base de nitrure, une seconde couche semi-conductrice à base de nitrure, une électrode de grille, une électrode ohmique, une première plaque de champ et une seconde plaque de champ. La seconde couche semi-conductrice à base de nitrure est disposée sur la première couche semi-conductrice à base de nitrure. L'électrode de grille est disposée au-dessus de la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure. L'électrode ohmique est disposée au-dessus de la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure. La première plaque de champ est disposée au-dessus de la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure et entre l'électrode de grille et l'électrode ohmique. La seconde plaque de champ est disposée au-dessus de la première plaque de champ et chevauche verticalement la première plaque de champ. La seconde plaque de champ présente au moins une partie s'étendant vers le bas pour entrer en contact avec au moins une région de connexion de la première plaque de champ, et une région d'isolation de la première plaque de champ est enveloppée par un diélectrique.