SEMICONDUCTOR DEVICE TERMINATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE TERMINATION STRUCTURES

In an example, a semiconductor device (10) includes an active trench region (22A) and an intersecting trench region (22C, 22CA, 22CB). The active trench region (22A) includes an active shield electrode (21A) and the intersecting trench region (22C, 22CA, 22CB) includes an intersecting shield electrode (21C, 21C'). A coupling trench region (22B, 22B', 22BA) connects the active trench region (21A) to the intersecting trench region (22C, 22CA, 22CB). The coupling trench region (22B, 22B', 22BA) includes a coupling shield electrode (21B, 21B'). The coupling shield electrode (21B, 21B') and the intersecting shield electrode (21C, 21C') are provided proximate to a termination mesa region (16B, 16B', 16B''). One or more of the coupling shield electrode (21B, 21B') or the intersecting shield electrode (21C, 21C') is thinner than the active shield electrode (21A). The thinner shield electrode reduces depletion in the termination mesa region to improve, among other things, breakdown voltage performance. La présente invention concerne, selon un exemple, un dispositif à semi-conducteur (10) qui comprend une région de tranchée active (22A) et une région de tranchée d'intersection (22C, 22 CA, 22 CB). La région de tranchée active (22A) comprend une électrode de blindage active (21A) et la région de tranchée d'intersection (22C, 22CA, 22CB) comprend une électrode de blindage d'intersection (21C, 21C'). Une région de tranchée de couplage (22B, 22B', 22BA) relie la région de tranchée active (21A) à la région de tranchée d'intersection (22C, 22CA, 22CB). La région de tranchée de couplage (22B, 22B', 22BA) comprend une électrode de blindage de couplage (21B, 21B'). L'électrode de blindage de couplage (21B, 21B') et l'électrode de blindage d'intersection (21C, 21C') sont disposées à proximité d'une région mesa de terminaison (16B, 16B', 16B''). Au moins une électrode de blindage de couplage (21B, 21B') ou au moins une électrode de blindage d'intersection (21C, 21C') est plus mince que l'électrode de blindage active (21A). L'électrode de blindage plus mince réduit l'appauvrissement dans la région mesa de terminaison pour améliorer, entre autres, la performance de la tension de claquage.