DOPED SILICON OR BORON LAYER FORMATION

An amorphous silicon layer or amorphous boron layer can be deposited on a substrate using one or more silicon or boron-containing precursors, respectively. Radical species are provided from a plasma source or from a controlled reaction chamber atmosphere to convert the amorphous silicon layer to a doped silicon layer with composition tunability. An initiation layer is deposited on one or more semiconductor device structures having a dielectric layer over an electrically conductive layer. The initiation layer may be conformally deposited by a CVD-based process and may comprises amorphous silicon, doped silicon, amorphous boron, or doped boron. Une couche de silicium amorphe ou une couche de bore amorphe peut être déposée sur un substrat à l'aide d'un ou de plusieurs précurseurs contenant du silicium ou du bore, respectivement. Des espèces radicales sont fournies à partir d'une source de plasma ou à partir d'une atmosphère de chambre de réaction contrôlée pour convertir la couche de silicium amorphe en une couche de silicium dopée avec une accordabilité de composition. Une couche d'initiation est déposée sur une ou plusieurs structures de dispositif à semi-conducteur ayant une couche diélectrique sur une couche électriquement conductrice. La couche d'initiation peut être déposée de manière conforme par un procédé basé sur CVD et peut comprendre du silicium amorphe, du silicium dopé, du bore amorphe ou du bore dopé.