MICROACOUSTIC FILTER WITH A LAYER ARRANGEMENT CONTAINING A CAVITY
An apparatus is disclosed for implementing a microacoustic filter with a cavity stack. In an example aspect, the apparatus includes a microacoustic filter with an electrode structure (310), a cavity stack (126), a buffer layer, (128) and a piezoelectric layer (130). The cavity stack comprises a cond...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | An apparatus is disclosed for implementing a microacoustic filter with a cavity stack. In an example aspect, the apparatus includes a microacoustic filter with an electrode structure (310), a cavity stack (126), a buffer layer, (128) and a piezoelectric layer (130). The cavity stack comprises a conductive layer (312), a substrate layer (316), and at least two pillars (314) extending past a plane defined by a surface of the substrate layer and towards the conductive layer to form a cavity (318) between the substrate layer and the conductive layer. The buffer layer (128) is disposed between the conductive layer (312) of the cavity stack and the electrode (310) structure. The piezoelectric layer (130) is disposed between the buffer layer (128) and the electrode structure (310).
L'invention concerne un appareil permettant de mettre en oeuvre un filtre microacoustique avec un empilement formant cavité. Selon un aspect donné à titre d'exemple, l'appareil comprend un filtre micro-acoustique ayant une structure d'électrode (310), un empilement formant cavité (126), une couche tampon (128) et une couche piézoélectrique (130). L'empilement formant cavité comprend une couche conductrice (312), une couche de substrat (316) et au moins deux piliers (314) s'étendant au-delà d'un plan défini par une surface de la couche de substrat et en direction de la couche conductrice pour former une cavité (318) entre la couche de substrat et la couche conductrice. La couche tampon (128) est disposée entre la couche conductrice (312) de l'empilement formant cavité et la structure d'électrode (310). La couche piézoélectrique (130) est disposée entre la couche tampon (128) et la structure d'électrode (310). |
---|