LIGHT DETECTION APPARATUS, DIGITAL DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING LIGHT DETECTION APPARATUS

Provided is a light detection apparatus capable of improving the saturation charge amount Qs of a photoelectric conversion unit. Specifically, the light detection apparatus is configured to comprise: a semiconductor substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed; and an element separation part which has a trench part formed between photoelectric conversion units on the semiconductor substrate, a semiconductor layer disposed in the trench part and covering side walls of the trench part, and a functional layer disposed in a space in the trench part covered by the semiconductor layer. The photoelectric conversion units are configured to have an N-type semiconductor region in a region contacting the semiconductor layer. The semiconductor layer has a P-type impurity concentration of not more than 1e16/cm3. The functional layer induces holes in the functional layer side of the semiconductor layer. L'invention concerne un appareil de détection de lumière capable d'améliorer la quantité de charge de saturation Qs d'une unité de conversion photoélectrique. Spécifiquement, l'appareil de détection de lumière est conçue pour comprendre : un substrat semi-conducteur sur lequel une pluralité d'unités de conversion photoélectrique sont formées ; et une partie de séparation d'élément qui a une partie tranchée formée entre des unités de conversion photoélectrique sur le substrat semi-conducteur, une couche semi-conductrice disposée dans la partie tranchée et recouvrant des parois latérales de la partie tranchée, et une couche fonctionnelle disposée dans un espace dans la partie tranchée recouverte par la couche semi-conductrice. Les unités de conversion photoélectrique sont conçues pour avoir une région semi-conductrice de type N dans une région en contact avec la couche semi-conductrice. La couche semi-conductrice a une concentration en impuretés de type P inférieure ou égale à 1e16/cm3. La couche fonctionnelle induit des trous dans le côté couche fonctionnelle de la couche semi-conductrice. 光電変換部の飽和電荷量Ｑsを向上可能な光検出装置を提供する。具体的には、複数の光電変換部が形成された半導体基板と、半導体基板のうちの光電変換部間に形成されたトレンチ部、トレンチ部内に配置され、トレンチ部の側壁面を被覆する半導体層、及び半導体層で被覆されたトレンチ部の内部の空間に配置された機能層を有する素子分離部と、を備える構成とした。また、光電変換部は、半導体層と接する領域にＮ型半導体領域を有する構成とした。そして、半導体層を、Ｐ型の不純物濃度が１ｅ１６/ｃｍ3以下とし、機能層を、半導体層の機能層側にホールを誘起させる層とした。