SEMICONDUCTOR-TYPE QUANTUM BIT DEVICE

[Problem] The present invention addresses the problem of providing a semiconductor-type quantum bit device having reduced variations in characteristics of quantum bit operations when multiple units thereof are integrated. [Solution] A semiconductor-type quantum bit device 10 is characterized by comprising at least: a support substrate 1 including a first conductivity type semiconductor layer; a fringe electric field formation layer 2 that is formed on the support substrate 1, and that includes a second conductivity type semiconductor layer which has a conductivity type different from that of the first conductivity type semiconductor layer or a metal layer which, together with the support substrate, forms a Schottky barrier wall; an embedded oxide layer 3 that is formed on the fringe electric field formation layer 2; and a quantum dot semiconductor layer 4 that is formed on the embedded oxide layer 3 and in which quantum dots are formed. Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir un dispositif à bits quantiques de type semi-conducteur présentant des variations réduites de caractéristiques d'opérations de bits quantiques lorsque de multiples unités de celui-ci sont intégrées. La solution consiste en un dispositif à bits quantiques de type semi-conducteur (10) qui est caractérisé en ce qu'il comprend au moins : un substrat de support (1) comprenant une couche semi-conductrice de premier type de conductivité ; une couche de formation de champ électrique de frange (2) qui est formée sur le substrat de support (1), et qui comprend une couche semi-conductrice de second type de conductivité qui présente un type de conductivité différent de celui de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité ou une couche métallique qui, conjointement avec le substrat de support, forme une paroi barrière de Schottky ; une couche d'oxyde incorporée (3) qui est formée sur la couche de formation de champ électrique de frange (2) ; et une couche semi-conductrice à points quantiques (4) qui est formée sur la couche d'oxyde incorporée (3) et dans laquelle sont formés des points quantiques. 【課題】本発明は、複数集積時に量子ビット操作の特性ばらつきが抑制される半導体型量子ビット装置を提供することを課題とする。 【解決手段】半導体型量子ビット装置１０は、少なくとも、第１導電型半導体層で構成される支持基板１と、支持基板１上に形成され、前記第１導電型半導体層と異なる導電型である第２導電型半導体層及び前記支持基板とショットキー障壁を形成する金属層のいずれかで構成されるフリンジ電界形成層２と、フリンジ電界形成層２上に形成される埋め込み酸化物層３と、埋め込み酸化物層３上に形成され、量子ドットが形成される量子ドット半導体層４と、を有することを特徴とする。