PRECURSORS CONTAINING FLUORINATED ALKOXIDES AND AMIDES

The present disclosure relates to the field of precursors, more specifically precursors containing at least one fluorinated group. In some embodiments, the precursors are hafnium, zirconium, and titanium bis(cyclopentadienyl) precursors containing fluorinated alkoxides and amides. In some embodiments, the present disclosure relates to using precursors for deposition of group 4 containing thin films, such as HfOx, ZrOx, and TiOx film applications. These thin films can be used in a variety of applications including semiconductor device structures. The compounds of the present disclosure have been developed and synthesized to generate compounds that provide improvements in film applications, such as HfOx, ZrOx, and TiOx film applications. The improvements to the compounds of the present disclosure include increased molecule stability at delivery temperature and deposition temperature, improvements related to precursor film impurity levels, molecule volatility, molecule melting point, and step coverage. La présente divulgation relève du domaine des précurseurs, plus particulièrement des précurseurs contenant au moins un groupe fluoré. Dans certains modes de réalisation, les précurseurs sont des précurseurs d'hafnium, de zirconium et de titane bis(cyclopentadiényle) contenant des alcoxydes fluorés et des amides. Dans certains modes de réalisation, la présente divulgation concerne l'utilisation de précurseurs pour le dépôt de groupe 4 contenant des couches minces, telles que des applications de couches de HfOx, ZrOx et TiOx. Ces couches minces peuvent être utilisées dans une variété d'applications notamment des structures de dispositifs à semi-conducteurs. Les composés selon la présente divulgation ont été développés et synthétisés pour produire des composés qui fournissent des améliorations dans des applications de couches, telles que des applications de couches de HfOx, ZrOx et TiOx. Les améliorations apportées aux composés selon la présente invention comprennent une stabilité de molécule accrue à une température de distribution et une température de dépôt, des améliorations associées à des niveaux d'impureté de couche de précurseur, à la volatilité de molécule, au point de fusion de molécule et à la couverture d'étape.