ION BOMBARDMENT DEVICE AND ION BOMBARDMENT PROCESSING METHOD

An ion bombardment device (1) has: a vacuum chamber (2); a base-material support part (11); a filament (3); a discharge power supply (22); a filament heating power supply (3T); and a magnetic-field generation mechanism (20). The filament 3 has one end section (31) and the other end section (32). The magnetic-field generation mechanism (20) includes: a first magnetic-field generation unit (201) that generates a first magnetic field in a region containing the one end section (31) of the filament (3); and a second magnetic-field generation unit (202) that generates a second magnetic field in a region containing the other end section (32) of the filament (3). The intensities of plasmas in the vicinity of the end sections of the filament (3) are increased in the first magnetic field and the second magnetic field, and thus, the unevenness in the plasma density and the unevenness in the etching amount can be reduced. Un dispositif de bombardement ionique (1) comprend : une chambre à vide (2) ; une partie de support de matériau de base (11) ; un filament (3) ; une alimentation électrique de décharge (22) ; une alimentation électrique de chauffage de filament (3T) ; et un mécanisme de génération de champ magnétique (20). Le filament (3) a une section d'extrémité (31) et l'autre section d'extrémité (32). Le mécanisme de génération de champ magnétique (20) comprend : une première unité de génération de champ magnétique (201) qui génère un premier champ magnétique dans une région contenant la section d'extrémité (31) du filament (3) ; et une seconde unité de génération de champ magnétique (202) qui génère un second champ magnétique dans une région contenant l'autre section d'extrémité (32) du filament (3). Les intensités de plasmas à proximité des sections d'extrémité du filament (3) sont augmentées dans le premier champ magnétique et le second champ magnétique, et ainsi, l'irrégularité de la densité de plasma et l'irrégularité de la quantité de gravure peuvent être réduites. イオンボンバードメント装置（１）は、真空チャンバ（２）と、基材支持部（１１）と、フィラメント（３）と、放電電源（２２）と、フィラメント加熱電源（３Ｔ）と、磁場発生機構（２０）とを有する。フィラメント３は、一端部（３１）と他端部（３２）とを有する。磁場発生機構（２０）は、フィラメント（３）の一端部（３１）を含む領域に第１磁場を発生させる第１磁場発生部（２０１）と、フィラメント（３）の他端部（３２）を含む領域に第２磁場を発生させる第２磁場発生部（２０２）とを含む。前記第１磁場および前記第２磁場によってフィラメント（３）の端部近傍のプラズマが強められ、プラズマ密度のばらつき、エッチング量のばらつきを低減することができる。