GATE ALL-AROUND (GAA) FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETS) FORMED ON BOTH SIDES OF A SUBSTRATE

An electronic device (11) includes a substrate (55), first and second semiconductor devices (22, 33), and a power supply structure (88b). The first semiconductor device (22) includes a first plurality of gate all-around (GAA) field effect transistors (FETs) (44) formed over a first side (25) of substrate (55). The second semiconductor device (33) includes a second plurality of GAA FETs (44) formed over a second side (35) of substrate (55), opposite first side (25). The power supply structure (88b) is (a) disposed at the first side (25), and (b) configured to supply power to one or more of: (i) the first plurality of GAA FETs (44) through first electrical couplings (77) disposed at the first side (25), and (ii) the second plurality of GAA FETs (44) through second electrical couplings (77) including inter-side vias (ISVs) (66) traversing the substrate (55) from the second side (35) to the first side (35). La présente invention concerne un dispositif électronique (11) qui comprend un substrat (55), des premier et second dispositifs à semi-conducteur (22, 33), et une structure d'alimentation électrique (88b). Le premier dispositif à semi-conducteur (22) comprend une première pluralité de transistors à effet de champ (FET) à grille enveloppante (GAA) (44) formés sur un premier côté (25) du substrat (55). Le second dispositif à semi-conducteur (33) comprend une seconde pluralité de transistors à effet de champ (FET) à grille enveloppante (GAA) (44) formés sur un second côté (35) du substrat (55), opposé au premier côté (25). La structure d'alimentation électrique (88b) est (a) disposée au niveau du premier côté (25), et (b) configurée pour fournir de l'énergie à un ou plusieurs éléments parmi : (i) la première pluralité de transistors à effet de champ (FET) à grille enveloppante (GAA) (44) par l'intermédiaire de premiers couplages électriques (77) disposés sur le premier côté (25), et (ii) la seconde pluralité de transistors à effet de champ (FET) à grille enveloppante (GAA) (44) par l'intermédiaire de seconds couplages électriques (77) comprenant des trous d'interconnexion inter-latéraux (ISV) (66) traversant le substrat (55) du second côté (35) au premier côté (35).