CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS

CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS

A system and method for generating aluminum ions for implantation into a substrate. The system and method comprise flowing a chlorine-containing gas from a first vessel, optionally with a hydrogen-containing co-gas and optionally with a fluorine-containing co-gas, to an ion source chamber of an ion...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DESPRES, Joseph R, TANG, Ying
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator DESPRES, Joseph R
TANG, Ying
description A system and method for generating aluminum ions for implantation into a substrate. The system and method comprise flowing a chlorine-containing gas from a first vessel, optionally with a hydrogen-containing co-gas and optionally with a fluorine-containing co-gas, to an ion source chamber of an ion implantation device. The ion source chamber comprises a solid aluminum target material. At the ion source chamber, aluminum ions are generated for implantation into a substrate. L'invention concerne un système et un procédé de génération d'ions aluminium destinés à être implantés dans un substrat. Le système et le procédé comprennent l'écoulement d'un gaz contenant du chlore à partir d'une première cuve, éventuellement avec un co-gaz contenant de l'hydrogène et éventuellement avec un co-gaz contenant du fluor, vers une chambre de source d'ions d'un dispositif d'implantation d'ions. La chambre de source d'ions comprend un matériau cible en aluminium massif. Au niveau de la chambre de source d'ions, des ions d'aluminium sont générés pour une implantation dans un substrat.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2024044187A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2024044187A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2024044187A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPB39vDxD_L0c9V19vcLcfT08_RzVwgIcnUODQr2DwpWcPMPUvD091Pw9A3wcQQqCAFxgiODQ1x9gxUc_VwUglx9HENcXRR8XUM8_F2CeRhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfLi_kYGRiYGJiaGFuaOhMXGqAEEWMCY</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS</title><source>esp@cenet</source><creator>DESPRES, Joseph R ; TANG, Ying</creator><creatorcontrib>DESPRES, Joseph R ; TANG, Ying</creatorcontrib><description>A system and method for generating aluminum ions for implantation into a substrate. The system and method comprise flowing a chlorine-containing gas from a first vessel, optionally with a hydrogen-containing co-gas and optionally with a fluorine-containing co-gas, to an ion source chamber of an ion implantation device. The ion source chamber comprises a solid aluminum target material. At the ion source chamber, aluminum ions are generated for implantation into a substrate. L'invention concerne un système et un procédé de génération d'ions aluminium destinés à être implantés dans un substrat. Le système et le procédé comprennent l'écoulement d'un gaz contenant du chlore à partir d'une première cuve, éventuellement avec un co-gaz contenant de l'hydrogène et éventuellement avec un co-gaz contenant du fluor, vers une chambre de source d'ions d'un dispositif d'implantation d'ions. La chambre de source d'ions comprend un matériau cible en aluminium massif. Au niveau de la chambre de source d'ions, des ions d'aluminium sont générés pour une implantation dans un substrat.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240229&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2024044187A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240229&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2024044187A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>DESPRES, Joseph R</creatorcontrib><creatorcontrib>TANG, Ying</creatorcontrib><title>CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS</title><description>A system and method for generating aluminum ions for implantation into a substrate. The system and method comprise flowing a chlorine-containing gas from a first vessel, optionally with a hydrogen-containing co-gas and optionally with a fluorine-containing co-gas, to an ion source chamber of an ion implantation device. The ion source chamber comprises a solid aluminum target material. At the ion source chamber, aluminum ions are generated for implantation into a substrate. L'invention concerne un système et un procédé de génération d'ions aluminium destinés à être implantés dans un substrat. Le système et le procédé comprennent l'écoulement d'un gaz contenant du chlore à partir d'une première cuve, éventuellement avec un co-gaz contenant de l'hydrogène et éventuellement avec un co-gaz contenant du fluor, vers une chambre de source d'ions d'un dispositif d'implantation d'ions. La chambre de source d'ions comprend un matériau cible en aluminium massif. Au niveau de la chambre de source d'ions, des ions d'aluminium sont générés pour une implantation dans un substrat.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB39vDxD_L0c9V19vcLcfT08_RzVwgIcnUODQr2DwpWcPMPUvD091Pw9A3wcQQqCAFxgiODQ1x9gxUc_VwUglx9HENcXRR8XUM8_F2CeRhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfLi_kYGRiYGJiaGFuaOhMXGqAEEWMCY</recordid><startdate>20240229</startdate><enddate>20240229</enddate><creator>DESPRES, Joseph R</creator><creator>TANG, Ying</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240229</creationdate><title>CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS</title><author>DESPRES, Joseph R ; TANG, Ying</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024044187A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>DESPRES, Joseph R</creatorcontrib><creatorcontrib>TANG, Ying</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>DESPRES, Joseph R</au><au>TANG, Ying</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS</title><date>2024-02-29</date><risdate>2024</risdate><abstract>A system and method for generating aluminum ions for implantation into a substrate. The system and method comprise flowing a chlorine-containing gas from a first vessel, optionally with a hydrogen-containing co-gas and optionally with a fluorine-containing co-gas, to an ion source chamber of an ion implantation device. The ion source chamber comprises a solid aluminum target material. At the ion source chamber, aluminum ions are generated for implantation into a substrate. L'invention concerne un système et un procédé de génération d'ions aluminium destinés à être implantés dans un substrat. Le système et le procédé comprennent l'écoulement d'un gaz contenant du chlore à partir d'une première cuve, éventuellement avec un co-gaz contenant de l'hydrogène et éventuellement avec un co-gaz contenant du fluor, vers une chambre de source d'ions d'un dispositif d'implantation d'ions. La chambre de source d'ions comprend un matériau cible en aluminium massif. Au niveau de la chambre de source d'ions, des ions d'aluminium sont générés pour une implantation dans un substrat.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2024044187A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-15T04%3A26%3A28IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=DESPRES,%20Joseph%20R&rft.date=2024-02-29&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2024044187A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true