CHLORINE-CONTAINING PRECURSORS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS AND RELATED METHODS

A system and method for generating aluminum ions for implantation into a substrate. The system and method comprise flowing a chlorine-containing gas from a first vessel, optionally with a hydrogen-containing co-gas and optionally with a fluorine-containing co-gas, to an ion source chamber of an ion implantation device. The ion source chamber comprises a solid aluminum target material. At the ion source chamber, aluminum ions are generated for implantation into a substrate. L'invention concerne un système et un procédé de génération d'ions aluminium destinés à être implantés dans un substrat. Le système et le procédé comprennent l'écoulement d'un gaz contenant du chlore à partir d'une première cuve, éventuellement avec un co-gaz contenant de l'hydrogène et éventuellement avec un co-gaz contenant du fluor, vers une chambre de source d'ions d'un dispositif d'implantation d'ions. La chambre de source d'ions comprend un matériau cible en aluminium massif. Au niveau de la chambre de source d'ions, des ions d'aluminium sont générés pour une implantation dans un substrat.