SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH

The present invention provides a substrate for epitaxial growth which is made of a single crystal represented by general formula RAMO4 (in the formula, R represents trivalent Sc and at least one trivalent element selected from the group consisting of In, Y, and lanthanoid elements, and A represents at least one trivalent element selected from the group consisting of Fe(III), Ga, and Al. Alternatively, R represents at least one trivalent element selected from the group consisting of Sc, In, Y, and lanthanoid elements, and A represents trivalent Al and at least one trivalent element selected from the group consisting of Fe(III) and Ga. M represents at least one divalent element selected from the group consisting of Mg, Mn, Fe(II), Co, Cu, Zn, and Cd. ) La présente invention concerne un substrat pour la croissance épitaxiale qui est constitué d'un monocristal représenté par la formule générale RAMO4 (dans la formule, R représente Sc trivalent et au moins un élément trivalent choisi dans le groupe constitué par les éléments In, Y et les lanthanoïdes, et A représente au moins un élément trivalent choisi dans le groupe constitué par Fe(III), Ga et Al. En variante, R représente au moins un élément trivalent choisi dans le groupe constitué par les éléments Sc, In, Y et les lanthanoïdes, et A représente Al trivalent et au moins un élément trivalent choisi dans le groupe constitué par Fe(III) et Ga. M représente au moins un élément divalent choisi dans le groupe constitué par Mg, Mn, Fe(II), Co, Cu, Zn et Cd.) 一般式ＲＡＭＯ４で表される単結晶体からなるエピタキシャル成長用基板（式中、Ｒは三価のＳｃと、Ｉｎ、Ｙ及びランタノイド元素からなる群より選択される少なくとも一種の三価の元素とを表し、ＡはＦｅ（ＩＩＩ）、Ｇａ及びＡｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の元素を表す。或いは、ＲはＳｃ、Ｉｎ、Ｙ及びランタノイド元素からなる群より選択される少なくとも一種の三価の元素を表し、Ａは三価のＡｌと、Ｆｅ（ＩＩＩ）及びＧａからなる群より選択される少なくとも一種の三価の元素とを表す。Ｍは、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種の二価の元素を表す。）