SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device including a semiconductor substrate having a first surface on which a first electrode is disposed, a first semiconductor region, of a first conductivity type, disposed on a second surface of the semiconductor substrate, a plurality of second semiconductor regions, of a second...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A semiconductor device including a semiconductor substrate having a first surface on which a first electrode is disposed, a first semiconductor region, of a first conductivity type, disposed on a second surface of the semiconductor substrate, a plurality of second semiconductor regions, of a second conductivity type, disposed on the first semiconductor region and extending along a first direction, a third semiconductor region, of the second conductivity type, disposed on the first semiconductor region, the third semiconductor region defining a portion of a trench that extends along a second direction that traverses the first direction, a second electrode disposed in the trench, a first insulating film disposed in the trench and between a sidewall of the third semiconductor region defining the portion of the trench and the second electrode, and a fourth semiconductor region, of the first conductivity type, disposed on the third semiconductor region.
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur ayant une première surface sur laquelle est disposée une première électrode, une première région semi-conductrice, d'un premier type de conductivité, disposée sur une seconde surface du substrat semi-conducteur, une pluralité de deuxièmes régions semi-conductrices, d'un second type de conductivité, disposées sur la première région semi-conductrice et s'étendant le long d'une première direction, une troisième région semi-conductrice, du second type de conductivité, disposée sur la première région semi-conductrice, la troisième région semi-conductrice définissant une partie d'une tranchée qui s'étend le long d'une seconde direction qui traverse la première direction, une seconde électrode disposée dans la tranchée, un premier film isolant disposé dans la tranchée et entre une paroi latérale de la troisième région semi-conductrice définissant la partie de la tranchée et la seconde électrode, et une quatrième région semi-conductrice, du premier type de conductivité, disposée sur la troisième région semi-conductrice. |
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